НОВОСИБИРСК, 26 декабря. /ТАСС/. Российские физики за три года запустят технологический накопительный комплекс и создадут опытный образец ионного ускорителя для создания микросхем в Зеленограде для разработки отечественной технологической цепочки производства микроэлектроники. Об этом рассказал журналистам директор Института ядерной физики им. Г. И. Будкера (ИЯФ) СО РАН Павел Логачев.
"Работа, связанная с восстановлением комплекса накопительного ТНК [Технологический накопительный комплекс] в Зеленограде, который будет востребован для разработки отечественной технологической цепочки производства микроэлектроники. Мы ставим задачу создать все необходимые средства разработки, подставить плечо нашим электронным компаниям, государственным институтам для того, чтобы сделать полностью отечественное оборудование для микроэлектроники", - сказал Логачев, уточнив, что комплекс будет запущен через три года.
Директор института пояснил, что накопительный комплекс будет основным инструментом для создания, испытания и одалживания технологии так называемых литографов для печати микросхем. "Это очень сложные и дорогие устройства, которые делает фактически одна компания в мире. Это машина, которая может участвовать в производстве, но она делается не для производства, делается для разработки литографов. Такие машины есть в мире, и они должны быть в России", - сказал он.
Физикам не придется создавать накопительный комплекс с нуля. В 1990-1991 годах в Зеленограде ИЯФ СО РАН создал комплекс, но он не был запущен в связи с распадом Советского Союза. За три года ученые восстановят и запустят установку. Работа ведется по заказу Курчатовского института. Создание ТНК с нуля стоило бы на сегодняшний день порядка 10 млрд рублей, на восстановление потребуется полмиллиарда рублей.
Создание имплантора для микроэлектроники
Также сотрудники ИЯФ СО РАН совместно с учеными Центрального научно-исследовательского института точного машиностроения в Зеленограде приступили к созданию промышленного ускорителя ионов для отечественного имплантора, который с помощью пучков ионов вводит необходимые химические элементы в пластину полупроводника на нужную глубину для созданий микросхем. "Один технологический цикл изготовления микросхем на пластину занимает примерно 460 операций и длится несколько месяцев, из них несколько десятков раз нужно делать эту имплантацию", - сказал он.
Опытный образец установки будет изготовлен за три года.
Финансирование создания отечественной технологии производства микроэлектроники будет осуществляться из разных источников - от Минпромторга РФ, Курчатовского института и правительства Москвы.
Комментарии
Минимум три.
Ещё Кэнон с Никоном.
Не считая китайцев с SMEE, которые запустили производство своих литографов.
Одна - это если речь идет о свержестком ультрафиолете. Но это тоже не факт - неизвестно что там у китацев, на чем хуавей свой проц последний сделала. Да и амеры что-то там рекламное про ZyvexLitho1 верещат.
Да, это ошибка в тексте. Но так как текст не мой, править не стал.
На DUV конечно же.
Вряд ли, хуавеевский 9000S это 7 нан, чот сомнительно что на дуве можно столько выжать, там всё на самом пределе будет.
Есть такая штука как кратное экспонирование. То что там делает хуавей, не так давно делал весь мир на том же самом DUV. Да и вообще их 7 это на самом деле мировые 14.
А размеры транзистора какие при заявленных 7/14 нм? Та же база с 28 нм? Или уже что-то придумали?
Транзистор это прямоугольник 20-30 нм на 60-80 нм. 28, 14, 7, 5 это длина затвора, или половина длины если мы про КНР.
Транзистор вообще можно сделать всего из нескольких атомов.
НО
Он получается жутко нестабильным, требовательным к напряжению.
Именно поэтому до сих пор весь автопром живёт на процессе 250. И всем его хватает.
А вся российская военка это Изделия ещё 70-х годов. Никакими процессами даже 90 там не пахнет. Это просто не нужно.
Нет он живëт на толстых техпроцессах, потому что под них делают автоэлектронику европейцы у которых с тонкими не ахти. Не давно тот же интел автоэлектронику на вполне современных техпроцессах. Та же силовая электроника уже есть на 65 нм. Вообщем вы не в теме.
Ну не может солдат съесть два мешка брюквы (с) Опять пошли дегенеративные разговорчики, что нинада нам современного старья хватит. Мне правда интересно, а как вы афар на компонентной базе 70хх сообразите? Там конечно не 14 нм, но вот уже около 90 точно.
АФАР вполне делается на 0,25 мкм. 90 нм это уровень 60ГГц
Потому и говорю, около. 0.25 мкм много ближе к 90 нм, чем к уровню 70хх.
Сами по себе транзисторы гораздо крупнее. Физику никто не отменял, там и интерференция, и прочие неопределенности. А вот технология их производства с точностью до какого-то порядка как раз и указывается.
А я бы так шапками не закидывал. Потому как осенью Huawei вверг всех англосаксов в неприятный шок . Его до этого ну затравили санкциями, никакого оборудования, TSMC выкинул с линии, похерили производство перспективнейших чипов Kirin (Kirin 920, чип 2014 г., стал первым 64-битным восьмиядерным процессором) - и все потирали ручки - что теперь китаю пипец. А тот молчал пару лет - да и выкатил Kirin 9000S по 7 нм техпроцессу . Да еще и вкатал в него гиперпоточность - чем могли хватстаться только Intel и AMD. Да, он похуже Cortex X1 в составе Snapdragon 888 и не дотягивает до рейтинга TDP-10, но - главное - полностью говоря нашими словами сделан на "импортозамещенных" материалах и оборудовании. И не в штучном эксземпляре - в крупных сериях - пошел в смартфон - HUAWEI Mate 60 Pro - который разметают с полок. А где то рядом видимо уже будут выстреливать DSP и другие чипы для 5G, нейропроцессоров, обработки данных и видео.. В общем лед тронулся p.s. Не уверен правда что китайцы нам его продавать будут - самим не хватает, да и тут дело национальной безопасности - им как бы в конкурентах не только США но и Россия не нужна
Они не верещат, они дельную штуку для НИОКР квантовых компов сделали. Это не для производства современных чипов, да и в целом не для массового производства.
Это не литограф, а оборудование для ионной имплантации. Как "микроэлектроншик" скажу - что раньше самыми распространенными способами были эпитаксия, диффузия и сплавление. Эпитаксия (введение примесей в процессе выращивания кристалла) позволяет наращивать на исходный кристалл слои с заданной концентрацией примесей. Диффузионный метод основан на диффузии примесных атомов с поверхностного слоя в полупроводник. При сплавлении прилегающий к поверхности слой полупроводника расплавляют и в процессе последующей рекристаллизации (затвердевания) обогащают примесными атомами. В отличие от этих способов, метод ионной имплантации не зависит от пределов химической растворимости, а также от температуры в процессе имплантации и концентрации материала примеси на поверхности полупроводника. Так как имплантация – процесс термодинамически неравновесный, с его помощью можно создавать соединения и сплавы, которые принципиально нельзя получать традиционными методами, а также достигать концентраций внедренной примеси, существенно превышающих предел растворимости данной примеси в веществе мишени. Из "фишек" ионной имплантации можно отметить - сокращается почти в 100-10000 раз время введения примеси, точный контроль вводимых атомов управлением тока (актуально для МОП транзисторов), высокая чистота, низкая температура, легко маскировать, малая глубина внедрения ионов (актуально для "нанометров", субмикронных СБИС, лавинно-пролетных диодов и т.п)
Спасибо за разъяснение.д
У нас были установки "Везувий" - от них рентгеном шпарило шо пипец.
Фотолитография выиграла у ионной имплантации из-за разрешающей способности. Электростатическая "оптика" не может сфокусировать пучок ионов до нанометровых размеров и делать это стабильно и производительно.
Отлично, наконец-то зашевелились. Пора убирать эти зависимости от Запада, должно быть своё.
Зашевелились несколько раньше, году в 21м.
Зашевелились ещё в 18-ом, в 19-ом РФ уже вовсю скупала чипы по всему миру.
Не шевелилась, расходы на микру были ничтожны.
Не очень понятно, как этот комплекс связан с литографией? Какую он решает проблему и в какой технологической точке/стадии? Инфы мало..
Скорее всего работа с рентгеновскими зеркалами, их же надо тестировать.
35 лет назад сделали зеркала, которые ASML в конце девяностых только начала делать и довела до ума спустя 20 лет (не зеркала, а технологию в целом)? Они там не корродировали за это время?
? Вы о каких зеркалах? Тех что сделали в СССР? Я о них не ведаю. Я про тестирование современных зеркал.
Возможно. Рентгеновские зеркала нужно произвести и тестировать, т.е. накопить, пока то да се.
Как, опять?
Что опять?
Построят. В Зеленограде. Для микроэлектроники.
Разверните мысль, а то я туповат и не догоняю.
Зеленоградский завод микроэлектроники, на который Минпромторг России делал ставки в стратегии электронной отрасли России до 2030 года, закончил свой путь печально — банкротством, но на этом история вокруг АО «Ангстрем-Т» не закончилась. Подробности — в материале ИА REGNUM.
Я знаю про Ангстрем-Т, дальше что?
И я знаю. И все знают.
Сомневаюсь что вы знаете что-то больше пересказов журналистов.
Дальше это стало Нм-Тех и история продолжилась. Продолжилась в тм плане, что бабло вливается, а на выходе ноль.
Сломать легко, а заставить это работать опять сложно.
У Микрона это получилось, причём сразу (имею ввиду 200 мм)
Микрону не вставляли в колëса такие палки, как Ангстрем у
Ангстрем успел обосраться в уже в 2007 году, далее всё идёт по накатанной
Там изначально очень мутная история была. Да и вы себе представляет - сколько стоит построить FAB ? Это 3-4 млрд$ минимум. Даже саудиты вложив почти 200 ярдов получили нулевой эффект. А тут копейки выделялись (которые тут же растаскивались "смотрящими" менеджерами из министерств и банков-кредиторов), а главное особых заказов не было, еще повезло что завод, пусть и "попрошайничая" но сохранился за эти 30 перестроечных лет - хотя бы как научная база и более-менее толковые кадры, хрен с ним с оборудованием. В принципе Минпромторг так и авиапром и машиностроение такой "помощью" убил.. Ничего не напоминает ?
Он всë же заработал и выпустил чипы, его задавил ВЭБ.
В принципе купленная в 2008 г линия на 130 нм у компании AMD заработала. К 2018-му началось производство по 90 нм (утверждается, что есть перспектива перехода на 65 нм). И даже экспорт в Китай начался (контракт на >2 млрд). На август 2018 года долг «Ангстрем-Т» составлял ~ 300 млн евро Но потом против Ангстрема ввели санкции, контракт спешно разорвали, а в 2019 ВЭБ забрал 100% акций завода «Ангстрем-Т», потребовав погасить кредит и подав иск о банкротстве, что и грохнуло завод напрочь. Отличная работа !
Не заработала
Не началось, и 90нм даже не начиналось
Да, это были изделия по технологии мосфет, просто транзисторы, дешёвые и простейшие
Опытная партия и испытания ( 14-разрядных АЦП/ЦАП со скоростью дискретизации до 400 MSPS) прошли успешно. А это уровень неплохих чипов Analog Devices - да это уровень 2014-2015 годов, но и на том спасибо.
В Китай пошли MOSFET 250 нм, для раскачки - но это загрузило бы производство и дало бы деньги - минимум 40-50% годовой загрузки мощностей. Но не срослось.. Дешевый-недешовый - неважно - рынок автомобильной и силовой электроники огромный - к 2030 году объем мирового рынка силовых МОП-транзисторов составит около 38 миллиардов долларов США с ростом по 5% в год. И кремния жрет много - нормально так его производство можно было бы раскачать.
Как новости читаете там же весело
Дальше можно не разбираться в вопросе, это попил.
С вами тоже можно не разбираться, вы хохол.
Ещё есть вариант, что просто идиот
Это допил, всё распилено давно.
Ну дай-то бог. Главное, чтобы внезапно (тм) не оказалось, что есть проблемки с закупкой примерно 100500 позиций всякой мелочëвки, типа уплотнительных колец для вакуумных трактов или винтов из нержавейки
Так и будет, как пить дать.
Страницы